Esistono essenzialmente due tecniche per migliorare la risposta del CCD nell'UV:
Trattare la superficie sensibile con materiale fosforescente che opera un cosiddetto "shift" di frequenza, cioè trasforma la radiazione ultravioletta in radiazione visibile (4500 - 5200 Å). In tal modo i fotoni trasformati in visibili possono raggiungere la zona utile affinché la carica generata possa essere raccolta dall'elettrodo. Tale tecnica non offre una elevata efficienza quantica ed ha lo svantaggio che a 70 °C la sostanza fosforescente evapora sotto vuoto (queste possono essere le condizioni per esempio nelle applicazioni spaziali).
Assottigliare il CCD e illuminarlo da dietro. In tal modo si elimina l'effetto di assorbimento da parte degli elettrodi. Durante il processo di assottigliamento sulla superficie sensibile si viene a creare un ossido (detto nativo) che forma una trappola per le cariche fotogenerate nella zona vicina alla superficie sensibile (e i fotoni UV vanno a finire proprio in questa zona). Esistono tre tecniche che tentano di compensare tale trappola. Queste tecniche sono:
L'"UV Flood", che consiste nell'irradiare il CCD con una sorgente UV e raffreddarlo durante l'inondazione. Se il CCD non viene più riscaldato, questa inondazione di radiazione UV fa sì che in parte la trappola venga colmata e il CCD diventi sensibile nell'UV.
La tecnica che è conosciuta col nome di "Flash Gate" consiste nel depositare sotto vuoto uno strato di metallo sulla superficie sensibile: in tal modo si può controllare il potenziale di tale superficie e quindi si può compensare la trappola naturale per le cariche. Purtroppo però questa tecnica soffre di un problema e cioè il CCD viene fatto funzionare sotto vuoto e se si raffredda e si riscalda tale deposito si potrebbe deteriorare.
L'"Impiantazione Ionica" è una tecnica che realizza la stessa compensazione operata dalle tecniche precedenti ma con una maggiore stabilità, cioè senza degradare nel tempo le prestazioni raggiunte. Tale tecnica consiste nell'impiantare atomi di Boro nel reticolo del Silicio, e dopo operare un annichilimento per ottimizzare la uniformità della risposta su tutto il chip.
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