La riduzione di efficienza quantica a basse temperature è una proprietà fondamentale dell'assorbimento della radiazione nel silicio. Essa è dovuta essenzialmente all'aumento della "bandgap" e ad una riduzione dei fononi necessari per la transizione indiretta, per i fotoni di lunghezza d'onda più elevata. Questa figura mostra il coefficiente di assorbimento a temperatura ambiente e alla temperatura dell'azoto liquido. Da questi grafici si può derivare la differenza di efficienza quantica alle due temperature. La formula è:
eq = Tlambda x [1 - e-aLD / 1 + aLO]
dove:
a è il coefficiente di assorbimento, LD è la profondità della buca di potenziale, LO è la lunghezza della diffusione elettronica, Tlambda è la trasmissione dell'elettrodo.
Indietro
